Igbt Power Semiconductor

Модуль Trans IGBT N-CH 1200 В 25 Номер модели серии 7MBR, такой как: 7MBR25NE120,7MBR10SA120J-70,7MBR15UG120-50,7MBR25NF120,7MBR25RSB120-61,7MBR30NF060,7MBR30SA060-50,7MB0205B5305B5B2BR5U1 7MBR35VA120-50,7MBR50NE060-01,7MBR50NF060
Теперь говорите

Подробная информация о продукции

Igbt Power Semiconductor


Особенности продукта

· Высокоскоростное переключение

· Привод напряжения

· Низкоиндуктивная модульная структура

· Контур динамического торможения с диодным мостом


Приложения

· Инвертор для Мото Драйв

· Усилитель сервопривода переменного и постоянного тока

· Бесперебойный источник питания


Фотографии спецификации

Igbt Power Semiconductor

Igbt Power Semiconductor 1

Igbt Power Semiconductor 2

Igbt Power Semiconductor 3


Общие детали

Код детали Смотреть фотографии

Описание Trans IGBT Модуль N-CH 1200 V 25 A

Тип канала N

Конфигурационный массив 7

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 1200 В

Максимальное напряжение эмиттера затвора ± 20 В

Максимальный непрерывный ток коллектора 25А

Место происхождения Япония FJ

Цена договорная


Часто задаваемые вопросы

1. Когда я могу получить цитату?

A: Мы процитируем вас в течение 4 часов. Разговоры в Whatsapp, Skype, Wechat приветствуются.

 

2. вы предоставляете образцы?

A: Пожалуйста, не стесняйтесь отправлять нам сообщения, включая спецификации и номер детали, чтобы получить образцы.

 

3. Вы предоставляете техническую поддержку?

A: Да, у нас есть сильная техническая команда, чтобы предоставить вам самую профессиональную техническую поддержку.

 

4. Возврат и замена?

A: наша гарантия составляет 90 дней. Если есть какие-либо проблемы с качеством товара, он может быть возвращен в течение гарантийных дней или мы можем предложить замену для проблемных деталей.

Hot Tags: Igbt Power Semiconductor, Китай, оптом, дешево, цитата, низкая цена, в наличии

Запрос

You Might Also Like