N-канальный МОП-транзистор 600 В

Общее описание

Эти транзисторы с эффектом поля мощности в N-канальном усилении производятся с использованием запатентованной технологии DMOS от Fairchild с планарной полосой. Эта передовая технология была специально разработана для минимизации сопротивления включенного состояния, обеспечения превосходных характеристик переключения и выдерживания импульсов высокой энергии в лавинном и коммутационном режимах. Эти устройства хорошо подходят для высокоэффективных импульсных источников питания, активной коррекции коэффициента мощности, электронных балластов ламп на основе топологии полумоста.

Характеристики

• 2,8 А, 600 В, RDS (вкл) = 2,5 Ом @ VGS = 10 В

• Низкий заряд затвора (обычно 15 нК)

• Низкий Crss (обычно 6,5 пФ)

• Быстрое переключение

• 100% лавина проверена

• Улучшенная возможность DV / DT

Заметки:

1. Повторная оценка: ширина импульса ограничена максимальной температурой перехода

2. L = 18,9 мГн, IAS = 4,5 А, VDD = 50 В, RG = 25 Ом, начальный TJ = 25 ° C

3. ISD ≤ 4,5 А, di / dt ≤ 200 А / мкс, VDD ≤ BVDSS, начало TJ = 25 ° C

4. Импульсный тест: ширина импульса ≤ 300 мкс, рабочий цикл ≤ 2%

5. По существу не зависит от рабочей температуры

Быстрые Детали

D / C: новый

Пакет: ТО-252

Номер модели: Fqd5n60c, Fqd5n60c

Тип: Драйв IC, IC

Фирменное наименование: оригинал

Место происхождения: Гуандун, Китай (материк)

Способы доставки: DHL UPS FedEx TNT EMS ARAMEX

Оплата: банковский перевод (T

Гарантия: 90 дней

Качество: отлично

MOQ: 10 ШТ.

Напряжение питания: стандартное напряжение

Применение: Телекоммуникации

Место происхождения: Китай

Описание товара

О нас

Наша компания может поставлять все виды микросхем, транзисторов, диодов, реле, конденсаторов, резисторов, предохранителей, модулей igbt и т. Д., Добро пожаловать, пришлите мне ваши rfqs для skype: suexdhk, я предложу вам лучшие цены с запчастями самого высокого качества